英飞凌科技股份有限公司扩充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列电压等级，继今年稍早推出的 650 V 产品后，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的 1700 V 电压等级产品。新款 1700 V 表面黏着装置 (SMD) 产品充分发挥了碳化硅 (SiC) 强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗。1700 V CoolSiC MOSFET 适用于三相转换系统的辅助电源供应器，例如：马达、再生能源、充电基础设施及 HVDC 系统等。
这类低功率应用通常在 100 W 以下运作。在这些情况下，设计人员通常偏好采用单端返驰式拓扑。有了 SMD 封装的 1700 V CoolSiC MOSFET 后，甚至能在输入电压高达 1000 VDC 的直流连结连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端返驰式转换器的辅助转换器具高效率和高可靠性，可建置于三相电源转换系统中，进而将尺寸缩到最小并减少物料清单。
英飞凌工业电源控制部门 SiC 资深协理 Peter Friedrichs 博士表示：“1700 V CoolSiC MOSFET 采用沟槽式技术，可完美平衡效能及可靠性。它结合 SiC 的出色特性：在高压 SMD 封装中提供精巧尺寸及低损耗，有助于让我们的客户大幅降低其辅助电源供应器的复杂性。”
1700 V 阻断电压消除了设计上针对过电压馀度及电源供应器可靠度的疑虑。CoolSiC 沟槽式技术具备此电压等级电晶体的最低装置电容和闸极电荷。因此，与先进的 1500 V 硅 MOSFET 相比，其功率耗损减少了 50% 以上，效率也提升了 2.5%。与其他 1700 V SiC MOSFET 相比，其效率提升 0.6%。低损耗有助于打造尺寸精巧的 SMD封装，以自然对流冷却的方式进行组装，不再需要散热器。
全新 1700 V CoolSiC 沟槽式 MOSFET 适用于 +12 V/0 V 闸极源极电压与一般 PWM 控制器相容的返驰式拓扑，因此，无需闸极驱动 IC，就能直接以返驰式控制器来运作。导通电阻额定值为 450 mΩ、650 mΩ 或 1000 mΩ。全新 7 引脚 D2PAK SMD 封装提供 7 mm 以上的爬沿距离及空间距离，可实现一般 1700 V 应用的要求和 PCB 规格，将整个设计的隔离效果降到最少。
供货情况
采用 D2PAK-7L 封装的 1700 V CoolSiC MOSFET 已开始批量上市。详细资讯请浏览 www.infineon.com/coolsic-mosfet。