东芝推出“TRS12A65F”和“TRS12E65F”两款650V/12A碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），这种新兴材料有助于节约电能和提高电源PFC效率。共有两种封装类型，其中TRS12A65F使用绝缘型封装TO-220F-2L，TRS12E65F采用非绝缘型封装TO-220-2L。为了解决设备功耗增加的问题，东芝最新推出拥有12A正向电流的产品。这两款新产品使用第二代优化JBS（结势垒控制肖特基）架构，其品质因数（VF・Qcj）较使用第一代相比降至67%左右，因而具备更高的非重复性峰值正向浪涌电流和更低的正向电压（最高1.45V），电流最大不超过97A。因此，新产品相对不易损坏，且功率损耗较低。介于高电压和低功率损耗的特点，新款碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD产品相比，能够适应更高的电压和电流环境。由于新产品功率损耗降低，因此对产品的散热需求也相应减少，从而提升了散热装置的效率和裕度。东芝未来还会扩展该系列产品，帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。
特点
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较高的非重复性峰值正向浪涌电流：
- IFSM＝92A（TRS12A65F）
- IFSM＝97A（TRS12E65F）
- 较低的反向电流：IR＝0.6μA（典型值）
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两种封装类型：
- 绝缘型封装TO-220F-2L（TRS12A65F）
- 非绝缘型封装TO-220-2L（TRS12E65F）
- 工业设备的电源（基站、PC服务器，电车供电设施和激光加工机床等）
- 消费设备的电源（有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等）