- 世界上首个单封装整合硅基驱动芯片和GaN功率电晶体的解决方案
- 相较硅充电器和转接器，其尺寸缩小80%，重量减轻70%，且充电速度提升3倍
ST推出世界首款嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓（GaN）电晶体的MasterGaN®产品平台。该整合化解决方案将有助于加速最高400W之下一代轻量节能消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度。
GaN技术使电力装置能够处理更大功率，同时装置本身将变得更小、更轻，而且更节能。这些改良将会改变智能手机超快充电器和无线充电器、PC和游戏机的USB-PD高功率配置转接器，以及太阳能储电系统、不断电供应系统或高阶OLED电视机，还有云端服务器等工业应用。
在目前的GaN市场上，功率电晶体和驱动IC通常是离散元件，这使设计人员必须学习两者间的协同作业，以达到最佳性能。意法半导体的MasterGaN绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路元件更少，而且系统变得可靠性更高。透过GaN技术和意法半导体整合式产品的优势，采用新产品的充电器和转接器将相较普通硅基解决方案尺寸缩减80％，重量亦降低了70％。
意法半导体执行副总裁、类比产品分部总经理Matteo Lo Presti表示，“ST独有的MasterGaN产品平台透过我们经过市场检验的专业知识和设计能力，再整合高压智慧功率BCD制程与GaN技术而成，能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。”
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，其整合两个半桥配置的GaN功率电晶体和半桥驱动芯片。
MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度仅1mm。
意法半导体还提供一个产品评估板，为客户快速启动电源产品专案。
技术资讯
MasterGaN平台利用意法半导体STDRIVE 600V闸极驱动芯片，以及GaN高电子迁移率电晶体（High-Electron-Mobility Transistor，HEMT）。9mm x 9mm GQFN薄型封装确保高功率密度，为高压应用而设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。
该产品系列有多种不同的GaN电晶体尺寸(RDS(ON))，并以脚位相容的半桥产品形式供货，方便工程师升级现有系统，并尽可能降低更改硬体的程序。在高阶的高效能拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振无桥图腾柱PFC（功率因数校正器），以及在AC/DC和DC/DC变换器，以及DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，低导通损耗和无体二极体恢复两大特性，使GaN电晶体可以提供卓越的效能和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关电晶体，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。逻辑输入脚位相容3.3V至15V的讯号，另配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用脚位和过热保护。
更多资讯，请造访：www.st.com/mastergan1-pr。