新款 3D NAND 大幅提高手机、车用、客户端以及资料中心应用的储存容量
美光科技日前宣布全球首款 176 层 3D NAND 快闪记忆体已正式出货，实现前所未有、领先业界的储存容量和效能。美光新推出的 176 层技术及先进架构为一重大突破，可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出：“美光的 176 层 NAND 为业界树立了新标竿。此层数比最接近我们的竞争对手高出近 40%。结合美光的 CuA（CMOS-under-array）架构，该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。”
美光的 176 层 NAND 是美光第五代 3D NAND 以及第二代替换闸（Replacement Gate）架构，为市场上技术最先进的 NAND 节点。与上一代的高容量 3D NAND 相比，美光176 层 NAND 的读取延迟和写入延迟改善超过 35% ，可大幅提高应用的效能。美光的 176 层 NAND 设计精巧，采用比同业最佳竞品还要小 30% 的晶粒，是小尺寸解决方案的理想选择。
以突破技术打造强大快闪记忆体 助攻多元市场
美光执行副总裁暨业务长 Sumit Sadana 表示：“美光的 176 层 NAND 有助于客户实现突破性的产品创新。我们正广泛地将这项技术使用在所有可能采用NAND的产品线中，并为使用 NAND 的所有领域带来新价值，尤其是 5G、人工智能、云端及智慧边缘运算的成长机会。”
凭借其通用的设计和领先业界的储存容量，美光 176 层 NAND 是众多领域技术人员的工具箱中，不可或缺的重要元件，包括手机储存、自动驾驶系统、车载资讯娱乐系统以及客户端和资料中心固态硬盘（SSD）。
美光 176 层 NAND 提供更好的服务品质（QoS )，此为资料中心 SSD 的关键设计标准 ，可以加速资料密集环境和工作负载，例如资料湖、人工智能引擎以及大数据分析。对 5G 智能手机而言，强化的服务品质（QoS）使其能更快地在多个应用程式之间进行载入和转换，创造更流畅且快速的手机使用体验，实现真正的多工作业，并充分利用 5G 低延迟网路。
美光第五代 3D NAND 的 ONFI（Open NAND Flash Interface）汇流排，提供业界最高的资料传输率 1,600 MT/s，提升了 33% 。ONFI 的速度提升可加快系统启动并强化应用效能。在汽车应用中，此速度将在引擎启动后立即为车载系统提供接近即时的回应时间，有助于加强使用者体验。
美光正与业界开发商展开合作，以迅速将新产品整合至解决方案中。为简化韧体研发，美光的 176 层 NAND 采用一次写入算法（One-Pass Program），使整合更容易并加快上市时间。
透过崭新架构 美光实现无与伦比的储存容量和成本领先优势
随著摩尔定律的放缓，美光在 3D NAND 的创新对确保业界跟上不断增加的资料需求至关重要。为了实现此里程碑，美光独家结合其堆叠式替换闸架构、崭新的电荷捕捉储存方式以及 CuA（CMOS-under-array） 技术。美光 3D NAND 专家团队亦利用公司的CuA 专利技术取得飞快的进展，在芯片逻辑上建造多层次堆叠，使更多记忆体能够装入更紧密的空间，并大幅度地缩小了 176 层 NAND 的晶粒尺寸，从而使每个晶圆达到更高的 GB。
同时，美光透过将其 NAND 单元技术从传统的浮闸式转变为电荷捕捉式，改善未来 NAND 的可扩充性以及效能。此电荷捕捉技术结合美光的替换闸架构，并利用高导电性金属字元线 （word line）代替硅层以实现无与伦比的 3D NAND 效能。美光采用此技术也使公司得以有效地领先业界降低生产成本。
美光透过采用这些先进技术来改善耐用性，对航空业的黑盒子和影像监控录影等密集写入的使用案例特别有益。在手机储存方面，176 层 NAND 的替换闸架构可使混合工作负载效能提高 15% ，以支援超快速边缘运算、强化 AI 推论以及高画质且即时的多人游戏。
上市时间
美光 176 层三层单元 3D NAND 已于美光新加坡晶圆厂量产，并透过 Crucial 消费型 SSD 产品系列向客户出货。美光预计于 2021 年度推出采用此技术的其他新产品。
资源
- 产品资讯：176 层 NAND
- 部落格：完成不可能的任务 — 美光176层NAND正式出货
- 白皮书：美光朝新一代 3D NAND 替换闸技术转型
- 影片：176 层快闪记忆体从实验室到晶圆厂的历程
- 影片：美光 176 层 3D 快闪记忆体有多不可思议