由ASPENCORE主办的首届“EE Awards Asia-亚洲金选奖”颁奖典礼于11月16日隆重举行，最终揭晓所有的得奖者。现场共有200多家半导体/电子产业领域的顶尖厂商代表与专业人士出席本届颁奖盛典，共同表彰行业内的优秀企业及产品代表。
AOS凭借新型1200V碳化硅MOS管（AOM033V120X2Q）获得了年度最佳Power IC奖，AOS台湾公司总经理周正兴先生出席代表领奖。自2021年第一季度正式发布以来，这款1200V 碳化硅MOS管广受市场好评，专为严苛的应用要求而设计。与传统的硅器件相比，具有卓越的开关性能和效率。
AOM033V120X2Q采用优化的TO-247-4L封装，符合AEC-Q101标准的新型1200V碳化硅MOS管。这款1200V 碳化硅MOS管为可接受15V标准栅极驱动器的TO-247-4L车规封装，并提供行业内领先的最低导通电阻，满足电动汽车（EV）车载充电机、电机驱动逆变器和车载充电桩的高效率和可靠性要求。
与标准3脚封装不同，使用额外的开尔文源极（Kelvin Source）感测引脚可降低封装内部回路上的寄生电感，使得该器件能够在更高的开关频率下工作。与标准封装相比，开关损耗最多可降低75％。其栅极驱动电压仅为15V，可以使栅极驱动器具有最广泛的兼容性，易于在各种系统设计中采用。此外，αSiC MOSFET在高温175°C下导通电阻的增加非常小，大幅度地降低功率损耗并进一步提高效率。
参数亮点
αSiC MOSFET产品组合目前已全面扩展，包括更广泛的静态导通电阻，以及通过AEC-Q101车规验证标准资格的产品，满足市场的应用需求。
