作者 : 英诺赛科官网
出處 : https://mp.weixin.qq.com/s/uB59cJYsuW517Y-kyH0kxg
近日,国际电力电子应用展览会APEC在美国洛杉矶成功举办,全球知名电力电子企业相聚盛会,从设备、产品、方案到终端应用全面展示,多方面呈现了电力电子领域的重要进展。
英诺赛科2KW 微逆方案搭配使用了150V VGaN 和650V GaN,150V GaN (INN150FQ070A)具备超低导通电阻,采用FCQFN封装小体积封装,在开关速度和开关损耗方面具备显著优势,而650V GaN(INN650TA030AH)采用 TOLL 封装,又能实现良好的散热效果。 相比传统Si方案,2KW 微逆体积减小约20%,功率器件损耗减小35%,不仅使系统性能大幅提升,还能降低成本。
在APEC 的两场工业会议上,英诺赛科孔鹏举博士分别分享了英诺赛科GaN 在手机和电能转换技术上的成果。
他表示,基于GaN HEMT的超高频(10MHz)Buck变换器设计,能够使手机内部空间利用率更高,使机身做得更加轻薄,同时实现充电保护。
APEC 会议在电力电子领域极具影响力,2024年APEC 共有300多家企业参加,超过10000名专业观众汇聚于此,与参展企业交流电力电子行业的新技术、新进展。 2024 APEC 圆满落幕,期待2025再相聚!
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