Infineon推出返驰式PWM电源控制芯片与内建高压Cool MOSFET combo高整合度之待机电源产品，产品内建不同Rds-on等级之MOSFET，可满足不同输出瓦数的应用增加产品在设计上的灵活性与通用性。ICE3AR4780JZ内建有800V的高压MOSFET，可轻易满足日益严苛的de-rating测试规格，且ICE3AR4780JZ combo本身为具有高集成度之产品，因此可大幅度减少周遭电路组件数量，可符合美国能源效率法规DOE与欧盟CoC能源协议规范，藉此达到高效率、降低成本与减小体积之待机电源产品设计之目的。
►场景应用图
►产品实体图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
1.提供5V/12W之电源输出 2.效率可达81.43% @115Vac与80.99% @230Vac 3.待机功耗可小于100mW @230Vac 4.具有brownout/过电压/过电流/过温度/输出短路保护
►方案规格
1.ICE3AR4780JZ内建800V高耐压MOSFET，可满足80% de-rating需求 2.透过外部组件可设整burst mode进出点 3.具有jitter功能可大幅减少EMI影响 4.可设定blanking time在需要peak load之应用场合