基于-TN1435-STDES-DABBIDIR 25 kW 双有源桥双向电源转换器,以电动汽车充电统电池储能

介绍

STDES-DABBIDIR为大功率双向 DC-DC 电源转换器提供完整的解决方案。 提出了一种基于ACEPACK 2 SiC功率模块的双有源桥拓扑。
使用支持数字密集型电源控制并针对混合信号应用进行优化的 STM32G474RE MCU。
得益于最新一代SiC功率模块和高频操作（100 kHz），高性能和设计达到优化。 根据负载/电压，软开关DAB行为也由调制技术管理变化。
双向模式操作支持 V2G 和 V2L 实施以及 UPS 和电池储能应用。
DAB DC-DC级由两个全桥和一个 25 kW 的单个磁性组件组成，包括隔离变压器和电感。

硬件模块化结构包括以下部分：

• 带有 ACEPACK 2 SiC 电源模块的主电源板、用于初级高压侧的全桥 A2F12M12W2-F1 和两个次级 LV 侧的半桥。 除了电源模块、大容量电容器、传感部分和辅助电源也存在。
• 用于全桥 ACEPACK 2 SiC 功率模块的驱动板，基于 STGAP2SICS 电隔离 4 A 单SiC MOSFET 的栅极驱动器。
• 基于 STGAP2SICS 电隔离 4 A 的半桥 ACEPACK 2 SiC 功率模块的两个驱动板用于 SiC MOSFET 的单栅极驱动器。
• 基于 STM32G474RET3 系列微控制器的控制板，带有用于通信和用于测试和监控的编程、测试点和状态指示器。

A2F12M12W2-F1

应用：直流/直流转换器
描述：这种采用四组拓扑结构的ACEPACK 2电源模块集成了先进的硅STMicroelectronics的碳化物功率MOSFET技术。
该模块利用宽带隙碳化硅材料的创新特性和高热性能基质。
结果是每单位面积的导通电阻极低以及几乎不受温度影响的出色开关性能。
一个NTC 传感器完成设计。

STGAP2SICS用于SiC MOSFET的电隔离4A单栅极驱动器

描述：STGAP2SICS 是一款单栅极驱动器，可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路。

栅极驱动器具有 4 A 能力和轨到轨输出的特点，使得器件也适用于中高功率应用，例如电源转换和工业应用中的电机驱动逆变器。
该设备可在两种不同的配置。 具有分离输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻独立优化开启和关闭。
具有单输出引脚和米勒箝位功能的配置可防止半桥拓扑中快速换向期间的栅极尖峰。 两种配置为外部组件提供高灵活性和材料清单减少。
该器件集成了保护功能：具有针对SiC的优化值的UVLO包括MOSFET和热关断以促进高度设计可靠的系统。
双输入引脚允许选择信号极性控制和实施硬件联锁保护，避免发生交叉导通控制器故障。
输入到输出传播延迟小于 75 ns，这提供高PWM控制精度。 待机模式可减少闲置能量消耗。