为了保护环境,降低功耗已成为全球面临的重大挑战,正因如此,变频器日益广泛用于各类型设备。借助变频器提高能效是重要目标。要求大电流和高功率的应用中通常使用硅(Si)IGBT,因为在大电流条件下,IGBT的饱和电压低于MOSFET。然而,IGBT在关断过程中的拖尾电流导致损耗增加,限制了其在高速开关中的
为提供您更多优质的内容,本网站使用 cookies 分析技术。若继续阅览本网站内容,即表示您同意我们使用 cookies,若不同意请关闭浏览器的 cookie 功能,关于更多资讯请阅读 Cookie 政策平台服务条款