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onsemiEV ChargerNTBG022N120M3SNCD57084充电桩电动车mosfet

世平安森美NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET)+NCD57084(Isolated IGBT Gate Driver IC)用于电动车EV充电桩方案

随著全球电动车市场的快速发展,越来越多车用半导体大厂纷纷投入开发相关的应用,其中电动车EV充电桩是不可或缺的周边设备,就像燃油车需要加油站一样,必须提高EV充电桩的布建密度才能因应电动车的发展。 然而,EV充电桩的用电量动辄高达数百KW,若没有考虑到用电品质及效率,势必会造成另外一个电力供应问题。本

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