传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其
此设计为30W 小型化壁式Type C PD 充电器，使用TI UCC28780 搭配Navitas NV6252来实现小型化需求，UCC28780是一款高频有源箝位反激式控制器(ACF)，工作频率可达1MHz，可操作在零电压开关（ZVS）且能在宽电压工作范围内实现，具有先进的自动调谐技术，自适应死
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