物联网方案列表

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电源

世平安森美NXH010P120MNF1 SiC Module 应用于5KW的方案介绍

基于节能减碳意识高涨及电力供应偶有突发不足情况，高耗能且效率不佳的设备总会列入优先检讨的对象，除了占最大耗能的马达族群外，像电焊／电镀／电浆等动辄数千瓦起跳的电能转换族群，若转换效率能再优化，多少为节能减碳会有些许的贡献。 而这类型高耗能产品因为耗能高，所以大都采用交流380V或交流480V的电源供

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电源

基于ST CCM PFC L4986A 设计的1KW 双BOOST PFC电源方案

L4986简介：     L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器，采用专有的乘法器“模拟器”，除了创新型THD优化器，还保证在所有工条件下具有非常低的总谐波失真（THD）性能。该器件引脚采用SO封装，集成了800V 高压启动功能，无需使用传统的放电电阻。可以支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。

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电源

ST-基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案

STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。 电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压

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电源

世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的

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