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电源

onsemi TPFC:NCP1681 and LLC:NCP4390 High density 3 kW Using SiC MOSFETs

我们提出了一种高密度3 kW电源解决方案，移除输入整流二极管,使用图腾极PFC电路和650 V SiC MOSFET和以及次级侧控制LLC带同步整流功能的转换器. 本方案是推动高效率和减小电源尺寸: 其中功率因数校正（PFC）是标准电源的常见要求,目的为减少谐波含量和虚功引起的电力线损耗,在设计小型

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电源

基于无桥图腾柱架构与SCR浪涌限流，以ST SiC MOSFET与STM32F334设计的3.6 kW PFC 数位电源方案: STEVAL-DPSTPFC1

STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW无桥图腾柱(bridgeless totem pole)升压电路可透过浪涌电流限制器（ICL Inrush Current Limiter）实现数位功率因数校正（PFC）。 它可帮助您使用最新的ST电源套件设备设计创新的拓扑：碳化硅(SiC) MOSFET

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