增强型M1H CoolSiC™ MOSFET的技术解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题，英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiC MOSFET 的企业，如何使用创新的非对称沟槽栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增强型M1H CoolSiC™芯片又“强“在哪里？英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士，在2023英飞凌工业功率技术大会（IPAC）上，发表了《增强型M1H CoolSiC™ MOSFET的技术解析及可靠性考量》的演讲，深入剖析了CoolSiC™ MOSFET的器件结构，以及M1H芯片在可靠性方面的卓越表现。点击视频可观看回放。