SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案

介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（200-1000V），广泛适用于充电桩或工业电源领域。

基于 ST 650V/1200V SiC MOSFET，ST碳化硅和超快恢复二极管，ST数字控制芯片STM32G4，ST隔离驱动芯片STGAP2SICS等多款产品组合及优异性能，完成30kW的高效率数字控制原型样机的设计、控制和测试。

前级三相VIENNA PFC，使用SCT018W65G3-4AG 碳化硅MOSFET和 STPSC40H12C碳化硅二极管，峰值效率高达98.7%，输入谐波小于5%，功率因数0.99。

后级三相LLC变压器采用Y型接法，自然均流，使用6颗SCT025W120G3-4AG碳化硅MOSFET和 12颗STTH60RQ06W超快恢复硅二极管，充电峰值效率超过98%，开关频率90kHZ-280kHz，输出通过relay控制串并联工作模式，拓宽了输出电压范围。

直播日期：2024 年 06 月 04 日（二）

直播时间：10:00 - 11:15

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