I.MX RT设计应用案例说明

关键字 :NXPI.MX RT

Case 1, ADC 采样.



--在ADC 采用时会出现如上波形 中间出现缺口(不连续),出现波动人不是ADC模块问题. 是因为如果PIN脚设置成ADC功能,需要把相应PIN脚的SW_PAD_CTL_PAD_TEST_MODE SW PAD Control Register 寄存器的PKE位设置为0(Dsiable 0,关掉内部上拉)(默认为1,即使能上拉).

   即大部分GPIO引脚是默认上拉.

--对于要求更高ADC精度的情况,可以VDDA_IN和ADDA_ADC分开供电.

Case 2, 24M 外置晶振.


--外部振荡器波形幅值主要电源电源域,要保证外部24M晶振的电源域不要超过NVCC_PLL(1.1V).

--对晶振的要求:

   典型80ESR晶体额定最大驱动能力为250μW可以接受.

   典型50ESR晶体额定最大驱动能力为200μW可以接受.

--测量晶振波形时,示波器探头选用寄生电容小的探头(1pf),探头寄生电容太大会影响波形.

--一定要加2.4M的偏置电阻,有利于启动.

CASE 3, OPENSDA.


--EVM板上OPENSDA仅支持带XIP头文件的BIN文件,不支持不带XIP头(只有应用程序,没有启动配置信息)的Raw Image.

Case 4, Boot Mode.


-- 通过BOOT_CFG1[7:4]来选择启动设备.

-- BOOT_CFG1[7:4] 都为0时从Q-Flash启动,如果板子没有启动了,再烧写代码也可能没有反应,这时候可以拨BOOT MODE到serial downloader模式,通过USB再来烧写代码.


--BOOT MODE, BOOT CONFIG PIN脚需要可靠的上拉或下拉.

Case 5, ESD性能.


--I.MX RT 芯片 ESD 参数:

人体放电模型 (Human-Body Model HBM) 1000V

充电器件模型(Charge Device Model,CDM)500V

-- RT1050EVKB通过了+/-8KV系统级ESD测试.

--特别说明: 重要的PIN脚需要做特别的保护.

a, POR PIN,需要外加一个10K的上拉电阻和旁路电容,形成RC滤波,抗干扰.

b,USB 信号线, USB热插拔的时候可能产生10多V的电压,需要在USB DP/DN信号线上加TVS二极管做保护.

   c, DCDC_LP, VDD_SNVS

使这些电源走线不要靠近PCB板的边沿,尽量用地把他们包围.

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