（TFT迟滞）造成短残的原因：
1、栅间绝缘层内部缺陷态；
2、多晶硅和栅间绝缘层间界面缺陷态。
载流子被陷阱捕获及逃逸出陷阱这一过程随着外加电压不断重复。当外加高栅压，缺陷态捕获载流子，使得阈值电压升高，从而降低了电流；当外加低栅压，缺陷态载流子被释放，电流从而升高。
栅压不是很大，时间不是很长，界面缺陷态占主导；高栅压，长期偏置，内部缺陷占主导。
255灰阶的棋盘格降到48灰阶后，原白格亮度低于原黑格亮度
由于TFT的迟滞效应，L255->L48，电流小于 L0->L48，因此造成了上述棋盘格短残的亮暗颠倒现象。
评价短残标准可分为：
光学类：
1、L48保持10秒，切换棋盘格10秒，再切回L48保持60秒，测出左侧亮度变化情况L1;
2、L48保持10秒，切换棋盘格10秒，再切回L48保持60秒，测出右侧亮度变化情况L2;
当JND<0.004时，可认为短残现象消失。
电学类：
1、Vgs从L255对应值变为L48的对应值，测量电流变化情况 I255；
2、Vgs从L0对应值变为L48的对应值，测量电流变化情况 I0；
当ΔIds ≤0.01可认为残影消失。
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