（TFT迟滞）造成短残的原因： 1、栅间绝缘层内部缺陷态； 2、多晶硅和栅间绝缘层间界面缺陷态。 载流子被陷阱捕获及逃逸出陷阱这一过程随着外加电压不断重复。当外加高栅压，缺陷态捕获载流子，使得阈值电压升高，从而降低了电流；当外加低栅压，缺陷态载流子被释放，电流从而升高。 栅压不是很大，时间不是很长，