【Light一刻】Infineon MOSFET VGS波形量测两三事

摘要:

“这是最好的时代,也是最坏的时代;

  这是智慧的时代,也是愚蠢的时代;

  这是信仰的时期,也是怀疑的时期;

  这是光明的季节,也是黑暗的季节;

  这是希望之春,也是失望之冬;

  人们面前有着各样事物。” - 狄更斯 <双城记>

 

我们身处在一个方便的时代,各种消费性电子产品,手机、电脑萤幕、数位点餐机等等。而这些产品的背后,都有看不到的电在驱使著神奇的科技。

 

而在看不到,摸不着的电力世界中。我们一向需要从碳棒量测、示波器呈现、最终到人眼观察我们想看见的波形讯号。这种感觉就像强制玩传声游戏,一个传一个的情况下拿到最后的讯息。如果中间有人传错了,我们就会解读到错误的讯息,产生错误的行为。这本质上就是一种资源的浪费。


那实际上错误的状况,会是如何呢?

Vgs量测:

(图一 : Vgs ON spike  图二 : Vgs OFF spike)

图一、二显示波形于示波器上,但可以看到Vgs都大于30V,等于超过datasheet定义的Vgs电压上限值。理论上来说会MOS应该要损坏,或者用料上并无MOS可以符合这个条件的使用。但此现象其实很多时候都源自于示波器碳棒的设置误判问题。碳棒可能会因为量测点、接触点、准位点、地线长度、靠近磁性元件干扰等各式各样的设置问题而让示波器波无法呈现出真实的样貌。

(图三:差动碳棒配置   图四:错误的量测方式 : 焊接MOS点为PCB版)

 

为避免这样的状况发生,碳棒的接触上需要注意以短、明确接线、不缠绕或者靠近切换讯号源为重点。





图五 &图六:正确的量测方式 : 焊接MOS点为外壳点(Housing point)



(图七、图八: MOS正常量测下无splike波形)

(图九: 量测点定义)

 

总结:

1)对于 Mosfet,请尝试在外壳点(Housing point)测量波形(外壳和焊点的区别)。

2)对于 Probe,请尽量缩短探棒量测量测线回路面积。 它可以避免接收到其他的干扰讯号。

MOS有误开并且损伤的风险可参阅上一篇分享文章,【Light一课】 Infineon MOSFET MOS导通行不行-论英飞凌MOS导通条件参数

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