1. 前言 电源ORing技术是一项关键的电源管理技术，常被应用于保障系统不受电源故障或中断的影响。它的核心原理是利用多个电源供应器并联提供电能，当其中一个电源失效时，其他电源会自动接管，确保系统持续运行。同时，这项技术也提高了电源ORing应用的效率和性能。 安森美半导体推出理想二极体/ORing

SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案 ★ 研讨会内容：   介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（2

作者：英飞凌工业半导体 方洁 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。 功率电路寄生电感在哪里？ 图1给出了半桥电路中不同位置寄

作者：英飞凌官微 英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（P

       KEC是一家于1969年成立于韩国的功率半导体专业公司，当时名称为韩国电子控股公司，已非存储电力半导体为中心，与国内主要家电、汽车制造厂商合作，提供向中、美、日等地区的出口比重，正慢慢挤身为国际性企业。KEC不断的提高研发技术，和追求核心技术与技术革新，在韩国功率半导体国产化方面处于领

1. 前言 在现今日益注重永续发展和环保的社会中，电源效率已成为关键议题。对高效电源管理解决方案的需求持续激增。该领域的一个重要参与者是KEC最新一代600V超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFET）。 这种超级接面MOSFET具有更好的特性，例如快速开关时间、低导通电阻、低闸极充电

作者：英飞凌工业半导体 碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023 IPAC英飞凌工业功率技术大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对Si

碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的反向电荷仅为相同电压规格的硅基MOSFET的5%。对于桥式电路，可以减小体二极管的死区时间和反向恢复带来的损耗和噪声，便于改进。开关工作频率。碳化硅MOS具

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的 性能。 SiC MOSFET目标应用包括工业马达驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。 SiC MOSFET“Q”系列产

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列 N 信道 MOSFET 产品可满足市场