1. 前言
在现今日益注重永续发展和环保的社会中，电源效率已成为关键议题。对高效电源管理解决方案的需求持续激增。该领域的一个重要参与者是KEC最新一代600V超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFET）。
这种超级接面MOSFET具有更好的特性，例如快速开关时间、低导通电阻、低闸极充电、低EMI特性和优异的雪崩特性。主要适用于有功功率因子校正和开关模式电源。
KEC半导体的新一代的600V超级接面MOSFET元件，M3系列采用独特的支柱纹波结构，在快速切换下具有较低开关损耗的出色性能，且不牺牲开关EMI杂讯，可实现高效率和高功率密度电源转换系统。
2. 产品特色
► 漏源击穿电压VDSS=600V, ID=11A
► 漏源导通电阻 : RDS(ON)(Max)=380m @VGS=10V
► 总栅极电荷Qg(typ.)=17nC @VGS=10V
3. 内部方块图
4. 设计利益
KEC半导体推出了600V超级接面MOSFET器件KP380N60DM3适用于PFC/CCM(硬切换)及LLC/ZVS(软切换)功率级。整体而言，新一代M3产品有四大设计利益:
► 适用于硬切换和软切换（PFC 和 LLC）
► 低振铃特性，易于使用和快速设计
► 低开关损耗，简化了热管理
► 适用于各种应用和功率范围
5.结语
电源效率不仅是提高能源利用效率的关键，更是实现节能减碳目标的基石。KEC半导体推出的600V M3系列产品，采用独特的支柱纹波，实现出色的体二极管反向恢复，非常适合用在PFC/LLC MOSFET，成为高频开关模式电源的完美选择！高效的电源转换意味着更少的能源消耗，进而减少对燃煤、燃气等高碳能源的需求，有助于减少二氧化碳等温室气体的排放。透过集体努力，我们有望实现更节能、更环保的未来。
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