1. 前言 在现今日益注重永续发展和环保的社会中，电源效率已成为关键议题。对高效电源管理解决方案的需求持续激增。该领域的一个重要参与者是KEC最新一代600V超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFET）。 这种超级接面MOSFET具有更好的特性，例如快速开关时间、低导通电阻、低闸极充电

汽车级版本D N沟道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，采用H2PAK封装 产品说明 这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装 产品说明 这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极

作者：熊康明　英飞凌电源与传感系统事业部 主任工程师 1).引 言 相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。 细心的工程师可能就会发

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极

汽车级N沟道650 V，89 mΩ（典型值），32 A MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，采用ACEPACK SMIT封装  汽车级650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列  产品说明 该器件在一个半桥拓扑中使用了两个MOSFET。ACEPACK SMIT功率模块

N-沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极