N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装
产品说明
这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极低的单位面积导通电阻和栅极电荷，非常适合需要超高功率密度和高效率的应用。
产品特色
全球领先的RDS(on)*面积
高功率密度
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
产品优势
设计复杂度降低，效率提高
专门针对反激式LED驱动器拓扑设计，可实现更高的功率密度
降低了板件BOM成本，缩小了板件尺寸
推荐应用
LED照明
适配器和充电器
评论