N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装 产品说明 这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极

N-沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极