N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列,STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装
产品说明
这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验,采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷,非常适合需要出色的功率密度和高效率的应用。
产品特色
• 全球领先的单位面积RDS(on)*
• 高功率密度
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
产品优势
• 设计复杂度降低,效率提高
• 专门针对反激式LED驱动器拓扑设计,可实现更高的功率密度
产品说明
这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验,采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷,非常适合需要出色的功率密度和高效率的应用。
产品特色
• 全球领先的单位面积RDS(on)*
• 高功率密度
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
产品优势
• 设计复杂度降低,效率提高
• 专门针对反激式LED驱动器拓扑设计,可实现更高的功率密度
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