ST NPI 新上架产品【STD80N450K6】

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列,STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装

产品说明
这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验,采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷,非常适合需要出色的功率密度和高效率的应用。


产品特色
• 全球领先的单位面积RDS(on)*

• 高功率密度
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

产品优势
• 设计复杂度降低,效率提高

• 专门针对反激式LED驱动器拓扑设计,可实现更高的功率密度

• 降低了板件BOM成本,缩小了板件尺寸

推荐应用
• LED照明

• 充电器
• 适配器
• 辅助电源

原厂产品介绍:STD80N450K6 点击链接→ 

技术文档

类型标题档案
硬件Datasheet

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