汽车级版本D N沟道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，采用H2PAK封装 产品说明 这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装 产品说明 这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO-247长引线封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A  产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO247- 4封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET。基

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极

汽车级N沟道650 V，89 mΩ（典型值），32 A MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，采用ACEPACK SMIT封装  汽车级650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列  产品说明 该器件在一个半桥拓扑中使用了两个MOSFET。ACEPACK SMIT功率模块

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用DPAK封装，N沟道650 V，132 mOhm典型值，17 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏

N-沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列采用TO-220封装，N沟道600 V，38 mOhm典型值，56 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新型超结MDmesh DM9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，以及快速恢复二极管

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装，N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A 产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基