汽车级N沟道650 V，89 mΩ（典型值），32 A MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET，采用ACEPACK SMIT封装
汽车级650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列
产品说明
该器件在一个半桥拓扑中使用了两个MOSFET。ACEPACK SMIT功率模块小巧耐用，采用表面贴装式封装，便于组装。ACEPACK SMIT封装采用DBC基板，热阻极低，并配有独立的顶端隔热垫。这种封装具有极高的设计灵活性，可以对多个内部功率开关进行不同的组合，从而实现多个配置，包括相臂、升压和单个开关。
产品特色
• QG 324认证
• 半桥电源模块
• 650 V阻断电压
• 快速恢复体二极管
• 极低开关能量
• 低封装电感
• 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
• 低热阻
汽车级650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列
产品说明
该器件在一个半桥拓扑中使用了两个MOSFET。ACEPACK SMIT功率模块小巧耐用，采用表面贴装式封装，便于组装。ACEPACK SMIT封装采用DBC基板，热阻极低，并配有独立的顶端隔热垫。这种封装具有极高的设计灵活性，可以对多个内部功率开关进行不同的组合，从而实现多个配置，包括相臂、升压和单个开关。
产品特色
• QG 324认证
• 半桥电源模块
• 650 V阻断电压
• 快速恢复体二极管
• 极低开关能量
• 低封装电感
• 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
• 低热阻
• 隔离额定值3.4 kVrms/min
产品优势
• 设计复杂度降低，效率提高
• 稳健可靠
• 小巧的设计，经济高效的系统方法
• 极高的功率密度
• 适用于谐振转换器和ZVS拓扑
推荐应用
面向OBD应用的谐振转换器和DC/DC转换器
原厂产品介绍：SH32N65DM6AG 点击链接→
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