ST NPI 新上架产品【STH12N120K5-2AG】

汽车级版本D N沟道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值，
7 A MDmesh K5功率MOSFET，采用H2PAK封装

产品说明

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。

产品特色

符合AEC-Q101标准
• 业界领先的低RDS(on) x面积
• 业界出色的品质因数 (FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试

产品优势

可靠、稳健和高效的汽车系统

推荐应用

电池管理系统



原厂产品介绍：STH12N120K5-2AG 点击链接→