SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案 ★ 研讨会内容：   介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（2

增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。 产品型号： FF17MR12W1M1H_B11 17mΩ 1200V FF17MR12W1M1H_B70 17mΩ 1

汽车级版本D N沟道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，采用H2PAK封装 产品说明 这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

40 Amp AEC-Q101 SCR晶闸管，采用D2PAK封装的1200 V@40 A汽车级SCR晶闸管 产品说明 意法半导体公司的TN4050HA-12GY是一款采用D2PAK SMD封装的1200 V@40 A SCR。 该器件符合AEC-Q101标准和PAPP的要求。该器件支持在车载充电器、

严格的排放法规、更全面的电动汽车(以下简称“EV”)选择、易于使用直流快速充电 (以下简称“DCFC”) 基础设施以及总体拥有成本的降低，推动了电动汽车市场的增长。消费者改变观念以支持绿色倡议进一步促进了这一增长。 根据国际能源协会 (IEA) 的一份报告，尽管发生了大流行病，但 2020 年电动汽

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，40 mOhm典型值，30 A，采用H2PAK-7封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有非常低的RDS(on)，加上低电容和非常高的开关频率，在

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列采用TO-220封装，N沟道600 V，38 mOhm典型值，56 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新型超结MDmesh DM9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，以及快速恢复二极管

Molex莫仕 RNC传感器 | 在汽车内实现低延迟主动降噪 在过去10年中，随着客户期望值的不断提高，汽车设计的重点发生了重大变化。现在，更多汽车工程师关注的是如何改进驾驶体验，使人们在车内尽可能度过愉快时光。所采取的措施包括，设法将车内的背景噪音降到最低。   从车内机械结构到车外环境等各种噪声

作者： 英飞凌汽车电子生态圈 近日，全球首屈一指的汽车半导体供应商英飞凌科技与合众新能源旗下的哪吒汽车在中国桐乡，共同举办哪吒天工电池与英飞凌BMS整体解决方案技术合作发布仪式。来自哪吒汽车和英飞凌科技（中国）有限公司的嘉宾共同参与了该发布仪式。 BMS电池管理系统是电池的“大脑”，也是新能源汽车产