汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装
产品说明
该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开关频率，不仅能提高应用中的频率、能效性能，还能减小系统尺寸和重量。
产品特色
• 增强了Ron*芯片尺寸和Ron*Qg方面的性能，提高了逆变器效率，从而延长电动汽车的行驶里程。
• 超高的额定电压支持电动汽车进行快速直流充电。
• 超快本征二极管支持电动汽车车载充电器的双向性。
• 非常高的频率能力可减小系统尺寸，采用先进的顶部冷却式表面贴装 (SMD) 封装（HU3PAK封装），可以减小外形尺寸、提高设计灵活性并优化热性能，同时增加功率密度。
推荐应用
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