汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

特点： •输入电压范围:90 to 265Vac-频率：45-65Hz •输出电压/负载:400V / 2.5 A 效率： - 230Vac(满载)时98%以上 -在115Vac(满载)时超过95.5% -在满载10%至100%之间的94%以上 •空载消耗:低于250mW在230 Vac •电源谐波

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，40 mOhm典型值，30 A，采用H2PAK-7封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有非常低的RDS(on)，加上低电容和非常高的开关频率，在

作者：英飞凌官微 摘要 LED照明产品标准迭代升级，以及使用者对照明光质量的追求，是制造厂商创新产品方案的动力。英飞凌广泛的LED照明产品组合，一直以来是国际国内照明制造厂商青睐的选择。 ICL88xx家族系列为新一代LED通用照明而设计研发，创新的混合信号控制技术，使得产品具有超高性价比。ICL8

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近年TWS耳机的发展及其快速，多麦有源降噪等众多新功能的应用极大地提升了用户体验，更快的充电速度以及更长的充电仓电池续航时间可以进一步提升用户体验。微源半导体近日推出了领先的超高效率快充方案LP7810+LP4080可以让工程师创建非常简洁的高效率TWS快充系统，支持5C充电电流，使耳机实现充电3分