汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，40 mOhm典型值，30 A，采用H2PAK-7封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有非常低的RDS(on)，加上低电容和非常高的开关频率，在