STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用DPAK封装,N沟道650 V,132 mOhm典型值,17 A
产品说明
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
产品特色
• 在基于硅的器件中,每种面积的RDS(on)均为全球领先
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100%雪崩测试
产品优势
• 更高的功率密度、更低的导通损耗,以及更紧凑的解决方案
产品说明
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
产品特色
• 在基于硅的器件中,每种面积的RDS(on)均为全球领先
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100%雪崩测试
产品优势
• 更高的功率密度、更低的导通损耗,以及更紧凑的解决方案
评论