ST NPI 新上架产品【STL120N10F8】

关键字 :STPOWER STripFET F8 MOSFET 低RDS(on)标准电平 100V

N沟道100 V标准电平STripFET F8功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装，125 A和4.6 mΩ（最大值）

产品说明
STL120N10F8是第一款采用新型STripFET F8沟槽MOSFET技术制造的100V器件，完全符合工业级应用要求。新型MOSFET既优化了体漏极二极管性能，也降低了导通电阻和开关损耗，可在功率转换和电机控制电路中节约能源并确保低噪声。

产品特色
• 体漏极二极管具有出色的平缓性
• 低输出电容和串联电阻
• 低栅-漏电荷
• 紧密的栅极阈值电压分布
• 超高电流能力

产品优势
• 低EMI噪声辐射
• 关断时的漏-源峰值电压低，振荡时间短
• 快速关断和低开关损耗

• 轻松并联
• 抗短路性能强

推荐应用
功率转换和电机控制

原厂产品介绍：STL120N10F8 点击链接→

技术文档

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硬件	Datasheet

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