N沟道100 V标准电平STripFET F8功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装，125 A和4.6 mΩ（最大值） 产品说明 STL120N10F8是第一款采用新型STripFET F8沟槽MOSFET技术制造的100V器件，完全符合工业级应用要求。新型MOSFET既优化了体漏极