ST NPI 新上架产品【SGT120R65AL 商品介绍】

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650 V e模式功率GaN晶体管，
75 mOhm典型值，15 A，常关P栅极HEMT

产品说明
SGT120R65AL是一种650 V、15 A e模式PowerGaN晶体管，结合了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件拥有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作，以实现高功率密度和出众的效率性能。

产品特色
• 增强型常关晶体管
• 超快的开关速度
• 高电源管理能力
• 极低电容
• Kelvin源焊盘实现理想的栅极驱动
• 零反向恢复电荷

产品优势
• 系统效率高
• 高功率密度

推荐应用
• 面向工业驱动器的PSU
• 充电器
• 适配器
• USB PD
• 消费类电子电源
• 电信用PSU

原厂产品介绍：SGT120R65AL 点击链接→

技术文档

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