650 V e模式功率GaN晶体管， 75 mOhm典型值，15 A，常关P栅极HEMT 产品说明 SGT120R65AL是一种650 V、15 A e模式PowerGaN晶体管，结合了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件拥有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作，以实现高功率密度和出众的