SiC 碳化硅是高压开关和整流的最新突破,ST意法半导体的碳化硅（Silicon Carbide）器件包括SiC MOSFET 电压范围为 650 至 1700 V，具有业界最高的 200 °C 界面温度junction temperature额定值，可实现更高效、更简化的设计，STPOWER SiC 二极管电压范围为 600 至 1200 V，正向电压（VF）比标准硅二极体降低 15% !
网页如下：
https://www.st.com/en/sic-devices.html
STPOWER 碳化硅MOSFET
网页如下：
https://www.st.com/content/st_com/en/products/sic-devices/sic-mosfets.html
主要特点：
符合汽车级 （AG） 标准的元件
极高的温度处理能力（最大 Tj= 200 °C）
极低的开关损耗（随温度的变化最小），允许在非常高的开关频率下工作
在整个温度范围内具有低导通电阻
易于驱动
经过验证的非常快速和坚固的本征二极体
STPOWER 碳化硅Diodes
网页如下
https://www.st.com/content/st_com/en/products/sic-devices/sic-diodes.html
主要特点：
非常低的正向传导损耗以提高效率
低开关损耗以减小电源转换器的尺寸和成本
软开关行为（低 EMC 影响），简化认证并加快上市时间
高正向浪涌能力以提高稳健性和可靠性
高功率集成（双二极管）以减少 PCB 尺寸
高温能力 Tj max = 175 °C
符合 AEC-Q101 标准且具有 PPAP 能力的汽车级 SiC 二极管
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