新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7


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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

8-120A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 S7,TO-247封装分立器件,可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列

产品型号:

▪️ IGQ120N120S7

▪️ IGQ100N120S7

▪️ IGQ75N120S7

▪️ IKQ120N120CS7

▪️ IKQ75N120CS7

▪️ IKZA40N120CS7

8-120A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 S7,TO-247封装分立器件,配EC7续流二极管。它具有低饱和压降VCEsat,以实现目标应用中非常低的导通损耗。

续流二极管EC7是特性非常软的二极管,有助于最大限度地减少开关损耗,从而实现整体的低总损耗。

产品特点

  • 非常低饱和压降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175◦C)
  • 良好的可控性
  • 软特性优化的全额定电流的续流二极管
  • 对恶劣条件鲁棒性和HV-H3TRB
  • 短路时间为8µs
  • 非常窄的参数分布
  • 最大工作Tj为175°C

特性图


                                              动态特性和静态特性

应用价值


• IGBT的损耗最低,系统效率高,可实现更高的功率输出
• 更高的功率密度,无需重新设计散热器
• 可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列
• 在恶劣的工作条件下,器件可靠性高
• 易于设计以满足EMI要求高可靠性和耐久性


竞争优势

用于工业驱动应用的最佳芯片技术和产品

总损耗较低产品,从8A到120A的额定电流

生产中非常窄的参数分布,以保证英飞凌的质量标准

抗湿度坚固性

英飞凌是功率半导体领域的佼佼者,拥有世界一流的前道和后道能力

世界级的生产、质量和业务连续性支持

 

应用领域



文章來源:英飞凌工业半导体

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