尽管全球各主要经济体的经济发展仍存在较多不确定因素，但全球经济整体已经进入复苏阶段，智能电源行业市场规模也总体保持了稳定增长的态势。从区域分布来看，全球智能电源市场规模主要集中在亚洲、欧洲和北美地区，近年来，随着亚洲地区的经济发展，城市化推进，亚洲占比持续提升。         o

作者：英飞凌工业半导体 EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。   相关器件： ▪️ FS33MR12W

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系

40-140A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。   产品特点 ● 得益于著名的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP™技术 ● 高速开关，低EMI辐射 ● 针对目标应用的优化二极管，实现了低Qrr ●

原文标题： Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200 V SiC Trench MOSFET 原文作者： Thomas Basler 原文发表在 PCIM Europe 2018， 5 – 7 June 2018， Nuremberg

光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。 产品型号： ▪️ DF17MR12W1M1H ▪️ DF16MR12W1M1H ▪️ DF14MR12W1M1H ▪️ DF11MR12W1M1H

尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。 在IGBT模块中，芯片面积减小导致了热阻抗的增加，进而影响性能。但是，由于较小的芯片在基板上释放了更多的空

为了防止全球进一步变暖，实现碳中和是全人类的当务之急，全世界越来越多的国家政府正在将“碳中和”转化为国家战略。充分利用太阳能、风能等清洁能源、降低能源消耗及损耗至关重要。东芝第三代SiCMOSFET拥有更低的功耗，更低导通电阻，可显著降低开关损耗。产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）对比上一代

安森美在碳化硅领域有着深厚的历史积淀，是少数具有垂直整合能力的SiC方案供应商之一，包括SiC晶锭生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。宽广的SiC功率器件阵容包括650/1200/1700 V SiC二极管、650/900/1200 V SiC MOSFET、集成IGB

新品 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 8-120A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列 产品型号： ▪️ IGQ120N120S7 ▪️ IGQ100N120S7 ▪️ IGQ75N120S7