Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅（SiC）肖特基二极体。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代 SiC 二极体包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 外挂程式封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用 MPS 结构，器件正向压降比上一代解决方案低 0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低 17%。
与接近的竞品解决方案相比，二极体室温下典型反向漏电流低 30%，高温下低 70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极体不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极体相比，SiC 二极体热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极体反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在 +175˚C 高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域 FBPS 和 LLC 转换器中的 AC/DC 功率因数校正（PFC）和 DC/DC 超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合 RoHS 标准，无卤素，通过 2,000 小时高温反偏（HTRB）测试和 2,000 次热回圈温度回圈测试，测试时间和回圈次数是 AEC-Q101 规定的两倍。
评论