作者：英飞凌官微 英飞凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列采用尖端的沟槽工艺，显著改善了开关/传导损耗和电流能力。这些改进转化为更低的系统损耗，从而提高了功率密度、板温度和整个系统的可靠性，实现了高水平的系统效率。适用于包括开关模式电源（SMPS）、可再生能源、OR-ing电路、电机驱动

SMPS开关电源作为一种高效、稳定的电源解决方案，被广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍SMPS开关电源方案的优势、特点以及应用，以便读者更好地了解和应用这一技术。 一、SMPS开关电源方案的优势 高效率：SMPS开关电源采用高频开关技术，使得电源转换效率大大提高，降低了能源的浪费，同时也减少了

肖特基二极管： 以金属为阳极，以N型半导体为阴极，利用二者接触面上形成的肖特基势垒（Schottky barrier）的整流特性而制成的金属-半导体二极管器件。 优点：单极型器件，只有一种载流子，从正向导通到反向截止，没有反向恢复行为，具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低，适用于高频开关

世界正在向更可持续的未来转变，对于减少碳排放的高能效解决方案的需求越来越迫切，诸如 AI 一类的新兴领域也不例外。顺应这一趋势，MPS 一直致力于持续推出更多的更强性能、更高效率、更高密度的电源方案，致力于减碳减排，以帮助客户在AI和高性能计算方面达成日益迫切的节能减排目标。 MPS 未来的产品按照

SMPS（开关型电源）的优势、设计和应用。SMPS开关电源方案是现代电子设备中的重要组成部分，具有高效、可编程和适应多电压输出等优点。首先介绍了SMPS的工作原理，接着讨论了其设计要点，最后探讨了其应用场景。 一、SMPS开关电源的优势 1. 高效能：SMPS开关电源方案采用了高频开关技术，能够实现

16 A 800 V高温SCR晶闸管，稳健可靠的TN1605H-8x高温16 A 800 V SCR晶闸管 产品说明 意法半导体公司的TN1605H-8x是一款16 A 800 V SCR，采用紧凑型D2PAK SMD封装以及高散热效率通孔式TO-220AB和TO-220I封装。 TN1605H-8

STPSTxH100/Y - 沟槽型功率肖特基二极管，满足高开关频率下的效率要求 产品说明 这些100V沟槽二极管专为工业和汽车应用而设计。无论采用SOD123Flat封装还是DPAK封装，都能提供灵活的解决方案，从而支持功率密度更高的设计，提升应用整体性能。 该产品系列的器件符合 AEC-Q101

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO247- 4封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET。基

Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅（SiC）肖特基二极体。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。   日前发布的新一代 Si

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用DPAK封装，N沟道650 V，132 mOhm典型值，17 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏