目前市场的电源供应器都在追求更高的转换效率、功率密度与使用寿命，Si_MOSFET随著技术的演进也从Panner技术转换至今的Trench 技术或Shield-Gate技术，这也只是着重改善MOSFET本身的参数。近年来安森美半导体推出全新的Source-Down包装的MOSFET来实现高转换效率、高功率密度与长使用寿命。
传统Drain-Down的包装是将Drain极至于底层Leadframe上，一般Drain是有带电的，那也会造成该Leadframe是有电的情状，以至于Leadframe是无法直接透过PCB板直接散热。全新Source-Down的包装是将Source极至于底层Leadframe上，一般Source极是不带电的，因此Source-Down的Leadframe是可以直接透过PCB板来散热，所以Source-Down包装热阻表现会比传统Drain-Down包装来的出色。另外，Source极是直接在Leadframe上且不带电可以不像Drain-Down包装需要考虑PCB trace间距离与干扰问题，所以Source-Down包装是可优化layout的布局。
新的Source-Down MOSFET有低导通阻抗RDS(ON)跟更佳热阻表现，这全新的Source-Down产品适合在服务器电源、通讯、Oring或电动工具机上的应用。安森美半导体目前有推出25V至60V Source-Down的MOSFET，有3x3(WDFN9)跟 5x6(TDFN9)大小。图一所示为onsemi TDFN9 Source-Down包装Bottom Side。图二所示为onsemi DFN5x6 Drain-Down包装Bottom Side。
图一、onsemi TDFN9 Source-Down包装(出处:https://www.onsemi.com/)
图二、onsemi DFN5x6 Drain-Down包装(出处:https://www.onsemi.com/)
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