带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT
产品说明
MASTERGAN1L是一款采用了GaN HEMT SiP的600V半桥驱动器，不仅待机功耗更加出色，而且支持比MasterGaN1更高的开关频率。
MASTERGAN1L的主要特性包括：
- 紧凑性：由于GaN更高的开关频率以及可将驱动器和两个GaN开关纳入同一封装的出色集成度，用户可以打造出体积仅为基于MOSFET开关的电源1/4的高功率密度电源。
- 稳健性：离线驱动器针对GaN HEMT进行了优化，可以实现快速、有效和安全的驱动和布局简化。
- 方便设计：管理分立的GaN开关可能会比较困难，而嵌入式驱动器可以有效管理GaN开关，从而简化电源设计。
产品特色
• BOM成本更低，效率和稳健性更加出色，且板件布局得到了简化
• 输入引脚张力与宽电压范围相匹配，且不受器件VCC的影响
• 支持自动管理互锁状况
产品优势
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