GD3100 功率元件温度监控机制及检测电路介绍

1.  概述:

1.1 在汽车电子系统中,温度感测是至关重要的,尤其是在高性能和高功率应用中。为了实现对温度的准确监测和管理,NXP GDIC系列提供温度感测解决方案,为汽车电子系统提供更高的可靠性和性能。
      直接监控功率器件的温度具有四个优点。首先,IGBT(以及系统)可以受到保护,防止因温度过高或超出其安全操作区域而导致的灾难性IGBT故障。

1.2 第二个好处是,逆变器系统无需在高功率时因为不知道IGBT的温度进行不必要的降级,监控IGBT的芯片温度允许控制器在可能导致故障的条件下继续运行。

1.3  第三个好处是,可以监测IGBT的温度,以检测长期磨损机制。

1.4 第四个好处是,GDIC的OTW信号允许系统在出现意外高温之前做出反应,而不是直接触发OTSD故障导致关闭功率元件。

2. GD3100过温度检测电路的特点:

2.1 NXP GDIC可供温度感测二极管驱动的准确电流源,或者根据需要禁用以进行基于热敏电阻的测量。

2.2 一个 10 bit ADC,用于监控温度传感元件上的电压。

2.3 可以在运行时进行可编程的过温度和过温度警告阈值设置。

2.4 2.0 ms 过滤器,用于过热和 OT 警告。

2.5 在SPI温度寄存器中提供10 bit温度值,并且可以在AOUT引脚作为占空比编码信号中使用。

2.6 可配置的增益和偏移参数,以增加温度测量的动态范围。

在上电时或运行时在SPI寄存器OT_TH和OTW_TH中设置OT和OTW阈值。其目的是在系统级进行OTTH和OTWTH的校准,并确认温度感测设备的特性。如果OTWTH设置为比OTTH更高的值,则GDIC会检测到负温度系数行为,并在低于OTTH的测量值上强制执行过温度故障。如果OTWTH设置在OTTH以下,则GDIC会将其定义为正温度系数,并在超过OTTH的测量值上执行过温度(OT)故障。当OTW故障触发时,通过SPI和INTB引脚报告,但不会关闭IGBT的闸极。 当OTSD故障触发时,通过SPI和INTB引脚报告,并使用其正常的关闭电路(没有两级关闭或软关闭)关闭IGBT的闸极

3. GD3100功率器件温度感测方案:


GD3100具有一个电流源(固定1毫安),可以与负温度系数(NTC)温度感测器件(无论是二极管还是热敏电阻)进行接口。以下提供了一个基于二极管的温度感测的示例以及一个基于NTC/热敏电阻的温度感测的实现示例。首选的应用原理图取决于电源器件模块或系统中可用的方案。

3.1 基于二极管的恒定电流源测量
       

先将二极管的特性在多个不同温度进行记录,并且观察二极管电压降作为温度感测的参数。这些参数必须作为 OTW 和 OT 阈值保存。如果仅使用单个温度感测二极管,则可能需要添加一个串联电阻来抵消 TSENSEA 引脚所观察到并由 ADC 内部处理的电压。这个电阻不影响温度感测测量的动态范围,仅与电阻值成比例的线性偏移。




3.2 基于热敏电阻(NTC)的恒定电流源测量

TSENSEA引脚的1 mA恒定电流源也可以用于基于NTC热敏电阻的温度感测。为了使温度感测元件的动态范围适应5 V范围内,如以下电路在NTC附近包括一个分流电阻。滤波电容器对于NTC量测电路来说,由于电流源的特性相同,其需求是相同的。需要一个电阻来分流电流,使其动态范围的阻值允许TSENSEA脚保持在5V的全量程内。



R1是一个实际的示例。4.02 kΩ的电阻确保了在温度低于标准值时(因此NTC阻值高于标准值)仍与5V的TSENSEA脚范围兼容。R1的上限值是VREF的全范围(在TSENSEA可读的最大信号),使用1 mA时可通过R1 = 5 kΩ实现。这种情况在冷场景时(NTC阻值非常高)是相关的。 R1的下限值由于在最大检测温度时所需的分辨率决定。 NTC阻值的一般形式方程式如下等式所示(其中R0、B和T0由NTC制造商提供)。




因此,TSENSEA Pin(也用于OT和OTW)所见的电压如下等式 :






3.3 使用电压分压式的热敏电阻(NTC)测量

传统上,将热敏电阻作为温度感测器,与一个固定电阻串联;由此产生的电压分压产生一个与温度相关的电压,可供GD3100进行测量和报告。下图展示了这种用法的简化应用电路。



电压分压式
的元件建议与恒定电流源配置相近:高频滤波要求是相同的,但由于电压分压的串联实现,电阻规格会有所变化。TSENSEA滤波电容的要求与其他方式也是相同的。

用于测量的TSENSEA引脚上呈现的与温度有关的电压由下列方程给出(其中VVREF = 5 V固定,RNTC由NTC规格提供,R1由设计者提供):设计者必须确保NTC电流不会导致总VREF输出电流超过额定最大值(20 mA)。


对于这种测量方式,必须禁用GD3100 TSENSEA上的集成电流源(在MODE1寄存器中设置TEMPSNS = 0)。但这种方式也同时禁用了GD3100的OTW报告和OT关闭功能。TSENSEA仍然由ADC转换并由GD3100报告(通过AOUT或SPI),但MCU必须读取温度数据并在系统级提供过温响应。


4. GD3162 评估套件:



5.  设计参考资料:
---> https://www.nxp.com/products/power-management/motor-and-solenoid-drivers/powertrain-and-engine-control/advanced-high-voltage-isolated-gate-driver-for-igbt-and-sic-mosfets:GD3100

★博文内容均由个人提供,与平台无关,如有违法或侵权,请与网站管理员联系。

★文明上网,请理性发言。内容一周内被举报5次,发文人进小黑屋喔~

评论