SEMIDRIVE G9Q 低温测试出现系统死机调试要点

一、 前言

        客户用芯驰 G9Q 平台做的车载网关产品,在做低温 -40℃ 测试过程中出现系统死机,常温下机器可以正常开机。



二、 SEMIDRIVE G9Q 低温测试出现系统死机调试要点

       ① 拿到客户的板子和原理图后,开始调试。

       ② 测试小系统的各路供电电压 0.82V、1.1V、1.8V、3.3V 均正常。接着测试各路电压纹波时,发现 VDD_CPU的纹波比较差,有 60mV 左右,正常的纹波应该在 40mV 左右。

                                                                                                                                                   ▲ 图 1   优化前 VDD_CPU 纹波

       ③ 查看原理图,VDD_CPU 这路电源用的是 MPQ2167AGQE,VDD_AP 用的也是 MPQ2167AGQE,我们测量VDD_AP 的纹波是正常的,在40mV 左右,VDD_CPU 和 VDD_AP 的电压相同,都是 0.82V,根据时序图,这两路电压是同时上电,于是我们试着让 VDD_CPU 这路电源不工作,把 R805 断开,然后飞线把 VDD_CPU 连接到VDD_AP 上,改好电路后,再测试 VDD_CPU 的纹波有改善,在 40mV 左右。

▲ 图 2   优化后 VDD_CPU 纹波



   ④ VDD_CPU 纹波比较差的问题,最终需要客户从 PCB 布局和走线上去排查。我们因为没有客户的 PCB 资料,这里不做讨论,只定位问题。

   ⑤ 测试小系统的上下电时序,发现 AP 域(AP_0V8)上电比较慢,滞后于 VDD_1V8,正常的时序应该是 AP_0V8最先上电。

▲ 图 3   优化前 AP_0V8 上电时序图

    ⑥ 查看原理图,调整电源 AP_0V8 的上电时间,把电容 C920 的容量由 0.1uF 改为 4.7 nF,这样可以减小电源MPQ2167AGQE 的上电延时。

▲ 图 4  AP_0V8 电路图

    ⑦ 对电源 AP_0V8 的上电延时优化后,测试上电时序波形满足要求。

▲ 图 5   优化后 AP_0V8 上电时序图

  ⑧ 我们把硬件优化同步给客户,客户把硬件更新后,做低温 -40℃ 测试,没有出现系统死机的问题。

      以上便是芯驰 SEMIDRIVE G9Q 低温测试出现系统死机调试要点。

      接下来我们也会不断更新更多关于 SEMIDRIVE X9、G9 系列的开发博文,同时我们也会持续推出更多 ADAS相关的技术开发博文。如需更深入的技术交流,欢迎在博文下方评论或者关注并给我留言。

附录:参考文献

      ①《 SD004_G9X_REF_A03_SCH 》

      ②《 G9X 处理器硬件设计指南_Rev0.9.2 》

      ③《 G9Q 处理器数据手册_Rev04.03 》

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