作者： 英飞凌工业半导体
又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。
这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测，有Al2O3/AlN DCB两种版本，型号中带P的是预涂TIM材料。
产品型号
F4-8MR12W2M1H_B70
8毫欧 H桥 AlN DCB
F4-8MR12W2M1HP_B76
8毫欧 H桥TIM
F4-11MR12W2M1H_B70
11毫欧 H桥 AlN DCB
F4-11MR12W2M1HP_B76
11毫欧 H桥 TIM
F4-33MR12W1M1H_B76
33毫欧 H桥
F4-17MR12W1M1H_B76
17毫欧 H桥
F4-17MR12W1M1HP_B76
17毫欧 H桥 TIM
F3L11MR12W2M1HP_B19
11毫欧 T-三电平 TIM
FF11MR12W2M1H_B70
11毫欧 半桥 AIN DCB
FF11MR12W2M1HP_B11
11毫欧 半桥 TIM
FS13MR12W2M1H_C55
13毫欧 三相桥 AIN DCB
FS13MR12W2M1HP_B11
13毫欧 三相桥 TIM
应用价值
• 扩展了栅源电压最大值：+23V到-10V
• 在过载条件下，Tvjop最高可达175°C
• 最佳的性价比，可降低系统成本
• 可工作在高开关频率，并改善对冷却要求
竞争优势
• 完整的半桥SiC模块产品组合，包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB
应用领域
• 电动汽车充电
• 储能系统
• 光伏
• UPS
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