此参考设计中,在一个小型印刷电路板(PCB)上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。设计中使用共漏极MOSFET的应用电路,可以实现BBM和MBB模式的切换。用于从多个电源切换的需求,诸如USB端子、非接触式电源端子和智能手机、PC、平板电脑、可穿戴设备以及各种类型的游戏设备和充电设备电池等。此外,大电流电池充电,如USB供电和快速充电需要使用低损耗MOSFET来提供功率。同時要防止当切换电源切换时,输出回灌到输入。可由BBM(先断后合)或MBB(Make Before Break)操作來实现。』
(作者:东芝;出处:https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )
特点
- 2cm×2cm小尺寸电路板贴装,具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路
- 使用共漏极MOSFET(SSM10N961L)
- 在20V和9V输入之间切换,输出电流为3A(最大值)
- 支持USB功率输出、快速充电、无线供电等多种电源系统的切换
- 可切换MBB(先合后断)、BBM(先断后合)操作
说明
BBM Mode :
VINB以9V通电,VINA施加10ms的20V电压脉冲
当向VINA施加20V,输出电压会从9V切换到20V,但此时控制VINA电压的驱动器IC TCK421G导通MOSFET会有3ms的延迟,此期间的输出电压为0V。
当VINA变为0V,输出电压从20V切换到9V,但此时控制VINB电压的驱动器IC TCK424G导通MOSFET一样会有3ms的延迟,此期间的输出电压为0V。
当施加VINA电压20V时,FLAG输出为Hign(约5V)。
波形中的每个操作的细节如下 :
① 向VINB施加9V电压,输出电压为9V
② 向VINA施加20V电压时,FLAG输出变为High(5 V)。VINA驱动器(TCK421G)在此时开始工作
③ 由于VINB驱动器(TCK424G)turn off,输出为0V
④ 在VINA驱动器(TCK421G)turn on后,产生VINA电压20V
⑤ 当VINA的电压变为0V时,FLAG输出变为Low(0V)。VINB驱动器(TCK424G)在此时开始工作
⑥ 由于VINA驱动器(TCK421G)turn off,输出为0V
⑦ 在VINB驱动器(TCK424G)turn on后,产生VINB电压9V
MBB Mode :
假设VINA电压 > VINB电压
- 向VINB施加电压(VINA电压关闭)。MOSFET Q1和Q2为共漏极连接,VINB电压被输出到VOUT。
- 当检测到VINA导通時,MOSFET Q1的栅极变为0V且Q1关断。此時VINB电压會經由Q1的体二极管正向电压输出到VOUT。VOUT电压会略低于VINB。
- 即使从VINA施加电压,因为有Q1的体二极管阻挡,反向电流不会流向VINB。
上述操作允许通过MBB从VINB到VINA的无缝电压输出切换
物料规格
资料来源: 东芝( https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )
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