作者： 英飞凌工业半导体 650V软特性发射极控制高速二极管EC7，采用TO247-2，2引脚封装，增加了安规距离，可靠性更高，适用于组串和微型光伏逆变器、不间断电源，住宅空调和逆变焊机等应用。 产品型号： • IDWD20E65E7 • IDWD30E65E7 • IDWD40E65E7 • ID

光电效应是指当光照射到物质表面时，光子能量被吸收并转化为电子能量的现象。在光电耦中，光电池是实现光电效应的关键部件。光电池是一种半导体器件，其结构类似于普通的二极管。光电池的核心部分是由p型和 n型半导体材料构成的p-n结。光伏输出光电耦是一种将光能转化为电能的器件。它由光电池和光电二极管组成，通过

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系

ECU(Electronic Control Unit)电子控制单元，是汽车专用微机控制器。它和普通的计算机一样,由微处理器(CPU)、存储器(ROM、RAM)、输入/输出接口(I/O)、模数转换器(A/D)以及整形、驱动等大规模集成电路组成。它的功用是根据自身存储的程序对发动机各传感器输入的各种信

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率半导体器件方面表现出高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅材

MOSFET即MOS(Metal Oxide Semiconductor)金属氧化物半导体；FET(Field Effect Transistor)场效应晶体管，即以金属层的栅极隔着氧化层，利用电场的效应来控制半导体的场效应晶体管。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率 小，

 一、前言         上期给大家分享了常见电阻、电容和电感的基本特性，并讲解了这三类元件选型的依据和建议。本期会针对上期内容对电阻、电容以及电感进行补充说明，此外，也会针对电路中常见的晶振、二极管、三极管、MOS 以及电源方面使用的 DCDC 与 LDO 进行详细讲解，希望本篇文章能够帮助到有

本文作者 作者：akbarsyeda 翻译：赵佳 紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。 现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数（PF）。 特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。 在这里，功率因数校

STPSTxH100/Y - 沟槽型功率肖特基二极管，满足高开关频率下的效率要求 产品说明 这些100V沟槽二极管专为工业和汽车应用而设计。无论采用SOD123Flat封装还是DPAK封装，都能提供灵活的解决方案，从而支持功率密度更高的设计，提升应用整体性能。 该产品系列的器件符合 AEC-Q101

近年来随着电子设备朝着体积更小、功耗更低、效率更高方向发展，为了解决这些问题，各种类型的器件应运而生。肖特基势垒二极管有着低功耗、大电流、高速开关的特点可帮助提高效率和节省功率。 肖特基二极管，是一种具有低正向压降和高速开关动作的二极管。肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间。这种较低