随着移动设备等电子产品技术升级，产品迭代，电子产品在追求功能越来越强大的同时对性能的要求也越来越高，这致使电子设备上使用的IC数量和单元电路在不断增加，所以增加产品续航能力成为迫切需要，延长续航可从电池容量、电池寿命方面入手，也可从降低功耗方面入手，今天主要介绍下Toshiba MOSFET 栅极驱

为了防止全球进一步变暖，实现碳中和是全人类的当务之急，全世界越来越多的国家政府正在将“碳中和”转化为国家战略。充分利用太阳能、风能等清洁能源、降低能源消耗及损耗至关重要。东芝第三代SiCMOSFET拥有更低的功耗，更低导通电阻，可显著降低开关损耗。产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）对比上一代

低损耗M系列IGBT采用Max247长引线封装，Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, 产品说明 该器件是采用先进的专有沟槽栅fieldstop结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重

在 11/22 由品佳集团联合 Microchip 原厂举办的线上研讨会《数字电源+SiC碳化硅器件解决方案在新能源汽车及储能行业应用》已经圆满结束，在 碳中和 和 碳达峰 背景下，Microchip也推出了完美的解决方案：Microchip 的 Level 4 纯数字电源方案+高性能的SiC碳化硅

        为实现无碳社会，节能引起人们广泛关注，另一方面，电力需求也在不断增长。小型高效电力转换系统的需求迅速增加。不仅促进了Si（硅）功率半导体器件性能的提高，还引入了化合物功率半导体器件。 Si器件是目前功率器件的主流。SiC器件以其良好的导热性在大功率、高能效应用方面更具前景。GaN器件